IXYS HiperFET, Polar IXFN102N30P N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN102N30P
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 193-464
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041201957
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 86 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 300 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 33 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 224 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Höhe
- 9.6mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 86 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 570 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 224 nC @ 10 V
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS