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IXYS HiperFET, Polar IXFN64N50P N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN64N50P

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
194-568P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041979498

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
61 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Drain-Source-Widerstand max.
85 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
150 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung max.
5.5V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Schraubmontage

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 61 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 150 nC @ 10 V
Serie = HiperFET, Polar

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS