IXYS HiperFET, Polar IXFP10N80P N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 300 W, 3-Pin TO-220
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFP10N80P
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 194-057P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041002004
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 10 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,1 Ω
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 40 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 40 nC @ 10 V
Serie = HiperFET, Polar
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS