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IXYS HiperFET, Polar3 IXFB132N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 132 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFB132N50P3

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
802-4348
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041121200

Technische Daten

Breite
5.31mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
132 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Drain-Source-Widerstand max.
39 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
PLUS264
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 132 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = PLUS264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,89 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.31mm
Serie = HiperFET, Polar3

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)