IXYS HiperFET, Polar3 IXFB210N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 210 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFB210N30P3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 802-4357P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041153225
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 210 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 300 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 14,5 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- PLUS264
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 210 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = PLUS264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 14,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,89 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = HiperFET, Polar3
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)