IXYS HiperFET, Polar3 IXFH26N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-247
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFH26N50P3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 802-4360
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041489942
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 26 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 240 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Höhe
- 21.46mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 21.46mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)