IXYS HiperFET, Polar3 IXFN110N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 90 A 1,5 kW, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN110N60P3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 804-7596
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041488709
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 90 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 56 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Höhe
- 9.6mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 56 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,5 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)