IXYS HiperFET, Polar3 IXFN132N50P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 112 A 1,5 kW, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN132N50P3
38,92 €
46,31 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Maximal 16 verfügbar
Lieferzeit ca. 1 Tage
Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 804-7599
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041489010
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 112 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 39 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Montage-Typ
- Schraubmontage
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 112 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,5 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Polar3
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)