IXYS HiperFET, Polar3 IXFN80N60P3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFN80N60P3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 804-7603
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041485203
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 66 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 70 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Montage-Typ
- Schraubmontage
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 960 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Polar3
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)