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IXYS HiperFET, Polar3 IXFX150N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 150 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFX150N30P3

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
802-4495P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041153294

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
150 A
Drain-Source-Spannung max.
300 V
Drain-Source-Widerstand max.
19 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
PLUS247
Höhe
21.34mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = PLUS247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,3 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 21.34mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)