IXYS HiperFET, Polar3 IXFX80N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFX80N60P3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 802-4502P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041088985
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 80 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 70 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- PLUS247
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PLUS247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,3 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = HiperFET, Polar3
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)