IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFH70N20Q3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 801-1392P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041646949
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 70 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 40 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 6.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V
Verlustleistung max. = 690 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HiperFET, Q3-Class
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3. Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Industriestandard-Gehäuse Niedrige Gehäuseinduktivität Hohe Leistungsdichte