IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin TO-264
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXFK24N100Q3
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 801-1405
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041645898
Technische Daten
- Breite
- 5.13mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 24 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1000 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 440 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 6.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-264
- Höhe
- 26.16mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 440 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V
Verlustleistung max. = 1 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.13mm
Höhe = 26.16mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3. Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Industriestandard-Gehäuse Niedrige Gehäuseinduktivität Hohe Leistungsdichte