IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 750 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXYH50N120C3
10,66 €
12,69 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 808-0287P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041716819
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.26 x 5.3 x 21.46mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 50kHz
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 750 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 50kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.26 x 5.3 x 21.46mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT. Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen. Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung 10 μs lange Kurzschlussauslösung Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen