IXYS IGBT / 84 A ±20V max., 1200 V 290 W, 3-Pin ISOPLUS247 N-Kanal
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXA55I1200HJ
6,55 €
7,79 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 808-0219P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041696395
Technische Daten
- Abmessungen
- 16.13 x 5.21 x 21.34mm
- Betriebstemperatur min.
- -40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 84 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- ISOPLUS247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 84 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 290 W
Gehäusegröße = ISOPLUS247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.34mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT. Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen. Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung 10 μs lange Kurzschlussauslösung Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen