IXYS X2-Class IXTH48N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A 660 W, 3-Pin TO-247
Marke: IXYS
Hersteller Artikel-Nr.: IXTH48N65X2
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 917-1410
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059041304160
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 48 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 65 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 48 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 660 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = X2-Class
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS. Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Intrinsic-Gleichrichterdiode Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Niedrige Gehäuseinduktivität Industriestandard-Gehäuse