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Semikron IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal

Marke: SEMIKRON

Hersteller Artikel-Nr.: SKM100GB125DN

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Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
468-2410
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Abmessungen
94.5 x 34.5 x 30.5mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
100 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
SEMITRANS2
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Montage-Typ
Tafelmontage
Pinanzahl
7
Transistor-Konfiguration
Serie

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SEMITRANS2
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 94.5 x 34.5 x 30.5mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C

Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung