Semikron IGBT-Modul / 160 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS2 N-Kanal
Marke: SEMIKRON
Hersteller Artikel-Nr.: SKM100GB12T4
95,80 €
114,00 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 687-4958
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Abmessungen
- 94 x 34 x 30.1mm
- Betriebstemperatur min.
- -40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 160 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- SEMITRANS2
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- Tafelmontage
- Pinanzahl
- 7
- Transistor-Konfiguration
- Serie
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SEMITRANS2
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 94 x 34 x 30.1mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung