Zum Hauptinhalt springen

Semikron IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

Marke: SEMIKRON

Hersteller Artikel-Nr.: SKM200GB125D

353,94 €

421,19 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Maximal 116 verfügbar
Lieferzeit ca. 1 Tage

Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
468-2454
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Abmessungen
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
200 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
SEMITRANS3
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Montage-Typ
Tafelmontage
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Serie

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = SEMITRANS3
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.5mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung