Semikron IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal
Marke: SEMIKRON
Hersteller Artikel-Nr.: SKM300GB12E4
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 125-1113
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Abmessungen
- 106.4 x 61.4 x 30.5mm
- Anzahl an Transistoren
- 2
- Betriebstemperatur min.
- –40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 422 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- SEMITRANS3
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- Schraubmontage
- Pinanzahl
- 7
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 422 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Gehäusegröße = SEMITRANS3
Montage-Typ = Schraubmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Schaltgeschwindigkeit = 12kHz
Transistor-Konfiguration = Halbbrücke
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 30.5mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung