Semikron IGBT-Modul / 469 A 20V max., 1200 V, 11-Pin SEMiX®3p N-Kanal
Marke: SEMIKRON
Hersteller Artikel-Nr.: SEMiX303GB12E4p
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 122-0391
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Abmessungen
- 150 x 62.4 x 17mm
- Betriebstemperatur min.
- –40 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 469 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- SEMiX®3p
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 11
- Transistor-Konfiguration
- Serie
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 469 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Gehäusegröße = SEMiX®3p
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 11
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 150 x 62.4 x 17mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C
SEMiX® Dual-IGBT-Module. Dual-IGBT-Module von Semikron in modernen, flachen SEMiX®-Gehäusen, die für Halbbrücken-Leistungssteuerungsanwendung geeignet sind. Die Module verwenden lötfreie Feder- oder Presssitz-Kontakte, sodass ein Gate-Treiber direkt an der Oberseite des Moduls montiert werden kann, was Platz spart und größere Anschlusszuverlässigkeit bietet. Typische Anwendungen umfassen AC-Frequenzumrichter, USV, elektronisches Schweißen und erneuerbare Energiesysteme. Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe ; 122-0385 122-0385 bis ; 122-0387 122-0387. Flaches, lötfreies Montagegehäuse IGBTs mit Trenchgate-Technologie Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit Presssitz-Stifte als Hilfskontakte UL-Zulassung