Semikron IGBT-Modul / 160 A 20V max. , 1200 V N-Kanal
Marke: SEMIKRON
Hersteller Artikel-Nr.: SKM100GAL12T4
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 210-4948
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 160 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Konfiguration
- Single
- Montage-Typ
- Tafelmontage
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 1
Konfiguration = Single
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Einfach
Das schnelle IGBT 4-Modul SEMIKRON semitrans 2-Gehäuse gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie Hybrid- oder Elektrofahrzeuge, elektronische Schweißgeräte mit Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, DC/DC-Wandler, Brems-Chopper und Schaltabwärtsmotor sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.Integrierter Gate-Widerstand Verbesserte Leistungswechselfunktion und weiches Schalten Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.