SiC Schottky Diode 1200V 10A TO-220-2
Marke: INFINEON
Hersteller Artikel-Nr.: IDH10G120C5XKSA1
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Produktdetails
- Artikeltyp
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 133-9915P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059043618975
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Dauer-Durchlassstrom max.
- 31.9A
- Diode Typ
- SiC-Schottky
- Diodenkonfiguration
- Einfach
- Diodentechnologie
- SiC-Schottky
- Gehäusegröße
- TO-220
- Gleichrichter-Typ
- Schottky-Diode
- Maximaler Spannungsabfall
- 2.6V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 2 + Tab
Produktbeschreibung
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220
Dauer-Durchlassstrom max. = 31.9A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2 + Tab
Maximaler Spannungsabfall = 2.6V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 99A
thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon. Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen. Verminderte elektromagnetische Störungen