STMicroelectronics DeepGate, STripFET STP260N6F6 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STP260N6F6
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 760-9673
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042889673
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 120 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 60 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,7 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 183 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 183 nC @ 10 V
Serie = DeepGate, STripFET
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.