STMicroelectronics FDmesh STW20NM60FD N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 214 W, 3-Pin TO-247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STW20NM60FD
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 761-0629
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042161472
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 290 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 37 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 290 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 214 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 37 nC @ 10 V
Serie = FDmesh
N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics