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STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 469 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STGW80V60DF

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Produktdetails

Artikeltyp
IGBT
Lieferanten Artikel-Nr.
792-5827
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059042626070

Technische Daten

Abmessungen
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
120 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung
600 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Transistor-Konfiguration
Einfach

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 469 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics