STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STGW80H65DFB
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Produktdetails
- Artikeltyp
- IGBT
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 792-5814
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042066180
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.75 x 5.15 x 20.15mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 120 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Konfiguration
- Einfach
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 469 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics