STMicroelectronics MDmesh M5 STL57N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 22 A 2,8 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV

Name: STMicroelectronics MDmesh M5 STL57N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 22 A 2,8 W, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 783-3056
Price: 10.75 EUR
Availability: BackOrder

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STL57N65M5

10,75 €

12,79 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Produktdetails

Artikeltyp: MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.: 783-3056
Gewicht: 1 g
Zustand: Neu
GTIN: 5059042269901

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °C
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 22 A
Drain-Source-Spannung max.: 710 V
Drain-Source-Widerstand max.: 69 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Gehäusegröße: PowerFLAT 8 x 8 HV

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 8 x 8 HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 69 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 2,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = MDmesh M5

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.