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STMicroelectronics MDmesh M5 STW38N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 30 A 190 W, 3-Pin TO-247

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW38N65M5

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
783-2999P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059042008265

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+150 °C
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
30 A
Drain-Source-Spannung max.
710 V
Drain-Source-Widerstand max.
95 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
–25 V, +25 V
Gehäusegröße
TO-247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.