STMicroelectronics MDmesh STB18NM80 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STB18NM80
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 761-0392P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042935233
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 17 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 295 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 70 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 295 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 70 nC @ 10 V
Höhe = 4.6mm
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics