STMicroelectronics MDmesh STB24NM60N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STB24NM60N
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 760-9499
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042885422
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 17 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 190 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = MDmesh
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics