STMicroelectronics MDmesh STP11NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-220
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STP11NM80
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 687-5235P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042985436
Technische Daten
- Breite
- 4.6mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 400 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-220
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.6mm
Serie = MDmesh
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics