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STMicroelectronics MDmesh STP34NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-220

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STP34NM60N

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
761-0106P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059042878493

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
29 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
105 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
–25 V, +25 V
Gehäusegröße
TO-220
Länge
10.4mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 105 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Länge = 10.4mm
Serie = MDmesh

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics