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STMicroelectronics MDmesh STY145N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 138 A 625 W, 3-Pin Max247

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STY145N65M5

STMICROELECTRONICS Logo

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
880-5474
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059042543100

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
138 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
15 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
–25 V, +25 V
Gehäusegröße
Max247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 138 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = Max247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 625 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20.3mm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics