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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW13NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 13 A 350 W, 3-Pin TO-247

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW13NK100Z

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
687-5248P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059042984484

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
13 A
Drain-Source-Spannung max.
1000 V
Drain-Source-Widerstand max.
700 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 700 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 350 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics