STMicroelectronics SCT SCT10N120 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: SCT10N120
11,04 €
13,14 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 202-5476
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 12 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,58 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.5V
- Gehäusegröße
- HiP247
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = HiP247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,58 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SCT
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität