STMicroelectronics SCT SCTH100N65G2-7AG N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 650 V / 98 A, 7-Pin H2PAK-7
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: SCTH100N65G2-7AG
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 202-5481
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 98 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,02 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 98 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,02 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SCT
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität