STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: SCT30N120
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 907-4741
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042204681
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 100 mΩ
- Gate-Source Spannung max.
- –10 V, +25 V
- Gehäusegröße
- HiP247
- Höhe
- 20.15mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = HiP247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 270 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20.15mm
N-Kanal MOSFET aus Siliziumkarbid (SiC), STMicroelectronics. MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) besitzen einen sehr niedrigen Widerstand zwischen Drain und Quelle im eingeschalteten Zustand für die 1200-V-Ausführung in Kombination mit ausgezeichneter Schaltleistung, was zu effizienteren und kompakteren Systemen führt.