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STMicroelectronics SCT30N120 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin HiP247

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCT30N120

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
907-4741P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059042204698

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
45 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Drain-Source-Widerstand max.
100 mΩ
Gate-Source Spannung max.
–10 V, +25 V
Gehäusegröße
HiP247
Höhe
20.15mm
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = HiP247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 270 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MOSFET aus Siliziumkarbid (SiC), STMicroelectronics. MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) besitzen einen sehr niedrigen Widerstand zwischen Drain und Quelle im eingeschalteten Zustand für die 1200-V-Ausführung in Kombination mit ausgezeichneter Schaltleistung, was zu effizienteren und kompakteren Systemen führt.