STMicroelectronics SCTH50N120-7 SCTH50N120-7 N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: SCTH50N120-7
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 204-3954
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 55 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,065 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.1V
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 55 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.1V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SCTH50N120-7