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STMicroelectronics SCTW90 SCTW90N65G2V N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 119 A, 3-Pin HiP247

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTW90N65G2V

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
201-0887P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
119 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,024 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gehäusegröße
HiP247
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 119 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = HiP247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,024 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SCTW90