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STMicroelectronics SCTWA10N120 SCTWA10N120 N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 1200 V / 12 A, 3-Pin Hip247

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTWA10N120

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
204-3956P
Gewicht
1 g
Zustand
Neu

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
12 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,55 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
3.5V
Gehäusegröße
Hip247
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = Hip247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,55 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SCTWA10N120