STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: SCTWA35N65G2V-4
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 233-0473P
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,067 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gehäusegröße
- Hip247-4
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = Hip247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,067 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1