STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 13 A 90 W, 3-Pin TO-220
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STP18N55M5
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 760-9663
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042086591
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 13 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 550 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 240 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 31 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 15.75mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Serie = MDmesh M5
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 31 nC @ 10 Vmm
Höhe = 15.75mm
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.