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STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STB23NM50N

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
761-0663P
Zustand
Neu
GTIN
5059042935202

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
17 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Drain-Source-Widerstand max.
190 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
45 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
–25 V, +25 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 45 nC @ 10 Vmm
Höhe = 4.6mm

N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics