STMicroelectronics STripFET II STP80NF55L-06 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STP80NF55L-06
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 761-0193
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042049336
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 80 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 8 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 100 nC bei 5 V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1V
- Gate-Source Spannung max.
- –16 V, +16 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 100 nC bei 5 V
Serie = STripFET II
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.