Texas Instruments NexFET CSD19506KCS N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220
Marke: Texas Instruments
Hersteller Artikel-Nr.: CSD19506KCS
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Produktdetails
- Artikeltyp
- MOSFET
- Lieferanten Artikel-Nr.
- 827-4903
- Gewicht
- 1 g
- Zustand
- Neu
- GTIN
- 5059042164473
Technische Daten
- Breite
- 4.7mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 273 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 80 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2,8 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.2V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.1V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 273 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.7mm
Serie = NexFET
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments