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Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: 2SK3700(F)

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
601-2122
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041944779

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
5 A
Drain-Source-Spannung max.
900 V
Drain-Source-Widerstand max.
2,5 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs
28 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Source Spannung max.
±30 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 150000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 28 nC @ 10 V
Serie = 2SK

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba