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Toshiba DTMOSIV-H TK62N60X,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 61,8 A 400 W, 3-Pin TO-247

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK62N60X,S1F(S

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
125-0586
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041125260

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
61,8 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
40 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.
2.5V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-247
Länge
15.94mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 61,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 400 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Länge = 15.94mm
Serie = DTMOSIV-H

MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba