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Toshiba DTMOSIV TK35N65W5,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A 270 W, 3-Pin TO-247

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK35N65W5,S1F(S

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Produktdetails

Artikeltyp
MOSFET
Lieferanten Artikel-Nr.
125-0571
Gewicht
1 g
Zustand
Neu
GTIN
5059041124645

Technische Daten

Breite
5.02mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
35 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
95 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 270 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.02mm
Höhe = 20.95mm

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba